|
|
| نام تجاری: | Upperbond |
| شماره مدل: | سازنده |
| مقدار تولیدی: | 2 عدد |
| قیمت: | قابل مذاکره |
| زمان تحویل: | 5-8 روز |
| شرایط پرداخت: | T/T، Western Union، MoneyGram، Paypal |
لوازم یدکی دستگاه سیگار پاسیم D2PAK ماسفت Irfz44ns پسیم
ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که برای تقویت یا سوئیچ کردن سیگنال های الکترونیکی و توان الکتریکی استفاده می شود.ترانزیستورها یکی از اجزای سازنده الکترونیک مدرن هستند.معمولاً از مواد نیمه هادی با حداقل سه پایانه برای اتصال به مدار خارجی تشکیل شده است.
افت ولتاژ
تصویر نشان دهنده یک ترانزیستور دوقطبی معمولی در یک مدار است.بسته به جریان در پایه، شارژ بین پایانه های امیتر و کلکتور جریان می یابد.از آنجا که اتصالات پایه و امیتر در داخل مانند یک دیود نیمه هادی رفتار می کنند، در حالی که جریان پایه وجود دارد، افت ولتاژ بین پایه و امیتر ایجاد می شود.مقدار این ولتاژ بستگی به ماده ای دارد که ترانزیستور از آن ساخته شده است و به آن VBE می گویند.
ماسفت
ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET)، همچنین به عنوان ترانزیستور MOS شناخته می شود، توسط محمد آتالا و داون کهنگ در سال 1959 اختراع شد. ماسفت اولین ترانزیستور واقعا فشرده ای بود که می توانست کوچک شده و به صورت انبوه تولید شود. طیف وسیعی از کاربردهاماسفت با مقیاس پذیری بالا و مصرف انرژی بسیار کمتر و چگالی بالاتر نسبت به ترانزیستورهای پیوند دوقطبی، ساخت مدارهای مجتمع با چگالی بالا را امکان پذیر کرد و امکان ادغام بیش از 10000 ترانزیستور را در یک آی سی واحد فراهم کرد.
ترانزیستور فرکانس بالا
اولین ترانزیستور فرکانس بالا ترانزیستور ژرمانیومی مانع سطحی بود که توسط فیلکو در سال 1953 ساخته شد و قادر بود تا 60 مگاهرتز کار کند.این ها با حکاکی فرورفتگی ها در یک پایه ژرمانیوم نوع n از دو طرف با جت های سولفات ایندیوم (III) تا زمانی که ضخامت آن به چند ده هزارم اینچ رسید ساخته شد.ایندیوم آبکاری شده در فرورفتگی ها کلکتور و امیتر را تشکیل می دهد.
ویدیو
ویدیو
ویدیو
ویدیو
ویدیو
ویدیو
|
| نام تجاری: | Upperbond |
| شماره مدل: | سازنده |
| مقدار تولیدی: | 2 عدد |
| قیمت: | قابل مذاکره |
| جزئیات بسته بندی: | کارتن |
| شرایط پرداخت: | T/T، Western Union، MoneyGram، Paypal |
لوازم یدکی دستگاه سیگار پاسیم D2PAK ماسفت Irfz44ns پسیم
ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که برای تقویت یا سوئیچ کردن سیگنال های الکترونیکی و توان الکتریکی استفاده می شود.ترانزیستورها یکی از اجزای سازنده الکترونیک مدرن هستند.معمولاً از مواد نیمه هادی با حداقل سه پایانه برای اتصال به مدار خارجی تشکیل شده است.
افت ولتاژ
تصویر نشان دهنده یک ترانزیستور دوقطبی معمولی در یک مدار است.بسته به جریان در پایه، شارژ بین پایانه های امیتر و کلکتور جریان می یابد.از آنجا که اتصالات پایه و امیتر در داخل مانند یک دیود نیمه هادی رفتار می کنند، در حالی که جریان پایه وجود دارد، افت ولتاژ بین پایه و امیتر ایجاد می شود.مقدار این ولتاژ بستگی به ماده ای دارد که ترانزیستور از آن ساخته شده است و به آن VBE می گویند.
ماسفت
ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET)، همچنین به عنوان ترانزیستور MOS شناخته می شود، توسط محمد آتالا و داون کهنگ در سال 1959 اختراع شد. ماسفت اولین ترانزیستور واقعا فشرده ای بود که می توانست کوچک شده و به صورت انبوه تولید شود. طیف وسیعی از کاربردهاماسفت با مقیاس پذیری بالا و مصرف انرژی بسیار کمتر و چگالی بالاتر نسبت به ترانزیستورهای پیوند دوقطبی، ساخت مدارهای مجتمع با چگالی بالا را امکان پذیر کرد و امکان ادغام بیش از 10000 ترانزیستور را در یک آی سی واحد فراهم کرد.
ترانزیستور فرکانس بالا
اولین ترانزیستور فرکانس بالا ترانزیستور ژرمانیومی مانع سطحی بود که توسط فیلکو در سال 1953 ساخته شد و قادر بود تا 60 مگاهرتز کار کند.این ها با حکاکی فرورفتگی ها در یک پایه ژرمانیوم نوع n از دو طرف با جت های سولفات ایندیوم (III) تا زمانی که ضخامت آن به چند ده هزارم اینچ رسید ساخته شد.ایندیوم آبکاری شده در فرورفتگی ها کلکتور و امیتر را تشکیل می دهد.
ویدیو
ویدیو
ویدیو
ویدیو
ویدیو
ویدیو
