Hauni Protos Nano Through-Hole نسخه Mosfet Irfz44ns برای ماشین های Kretek

Hauni Protos Nano Through-Hole نسخه Mosfet Irfz44ns برای ماشین های Kretek

ترانزیستور سیلیکونی

اولین ترانزیستور سیلیکونی کار در آزمایشگاه بل در 26 ژانویه 1954 توسط موریس تاننبام ساخته شد.اولین ترانزیستور سیلیکونی تجاری توسط تگزاس اینسترومنتز در سال 1954 تولید شد. این کار گوردون تیل، متخصص در رشد کریستال هایی با خلوص بالا بود که قبلا در آزمایشگاه های بل کار کرده بود.

ترانزیستور فرکانس بالا

اولین ترانزیستور فرکانس بالا ترانزیستور ژرمانیومی مانع سطحی بود که توسط فیلکو در سال 1953 ساخته شد و قادر بود تا 60 مگاهرتز کار کند.اینها با حک کردن فرورفتگی‌ها در یک پایه ژرمانیوم نوع n از هر دو طرف با جت‌های سولفات ایندیم (III) تا زمانی که ضخامت آن به چند ده هزارم اینچ رسید، ساخته شدند.ایندیوم آبکاری شده در فرورفتگی ها، کلکتور و امیتر را تشکیل می دهد.

ترانزیستور نقطه تماس

در سال 1948، ترانزیستور نقطه تماس به طور مستقل توسط فیزیکدانان آلمانی هربرت ماتاره و هاینریش ولکر در حین کار در Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse، یک شرکت تابعه Westinghouse واقع در پاریس، اختراع شد.ماتاره تجربه قبلی در توسعه یکسو کننده های کریستالی از سیلیکون و ژرمانیوم در تلاش رادار آلمان در طول جنگ جهانی دوم داشت.او با استفاده از این دانش، در سال 1947 تحقیق در مورد پدیده «تداخل» را آغاز کرد.